肖特基二極管的溝槽結構設計可以降低肖特基二極管的表面電場和肖特基勢壘。
因此,溝槽結構可以使用低功函數的肖特基金屬來降低導通電壓,而無需承受高反向漏電流。
溝槽結構可以減少注入漂移區的少數載流子,從而最大限度地減少存儲電荷量並提高開關速度。
與肖特基二極管相比,溝槽式肖特基二極管的小電流啟動性能更好,能提供更好的能效轉換,滿足六級能效要求。
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採用Field Stop技術,該技術結合貫穿型(PT)及非貫穿型(NPT)IGBT 結構的優點。
FS IGBT在導通期間具有更低的飽和電壓降 VCE(sat),且在關斷瞬間具有更低的開關損失。
由於VCE(sat)正溫度特性,IGBT允許並聯使用,並且使用相對簡單。
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